大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于电脑手机外壳测评的问题，于是小编就整理了1个相关介绍电脑手机外壳测评的解答，让我们一起看看吧。
7nm和12nm的芯片，在手机应用上有多大区别？
越先进的制程工艺，晶体管密度越大，核心面积越小，功耗和发热等性能更加优异。
相信大家经常看到手机处理器上的芯片的7nm和12nm等等名词，其实是手机芯片的不同工艺制程的区分，在一般情况下，数字越低则表示手机芯片越好！一般情况下，手机芯片数字越低，则表明手机功耗越低，性能越强。更先进的工艺制程，好处还是非常明显的。
手机芯片工艺制程一直在演变，20nm、16nm、14nm、12nm、7nm等等，每一代芯片制程工艺的升级，都在意味着手机发热低，功耗少，消费者体验更佳！而12nm和7nm日常使用没有感受到明显的差别，但是在手机游戏，和高温等特定环境下就能感受到！
个人建议: 在挑选手机的朋友，在预算充足情况下建议购买手机芯片工艺更佳的手机型号，刚用虽然没有大差别，但是用的久了就能明显的感觉到里面的差异！
7nm和12nm指的是晶体管间的距离。在同等cpu面积下，距离越小，能够摆放的晶体管数量也就越多。那么，对于运算速度而言，晶体管越多，运算速度提高的可能性也就越大。
但是，不管是对于手机还是pc，这些并不是刚性约束。核心数量与底层优化更有意义。不是有句话叫“一核工作，九核围观”吗？其实就是因为优化问题导致核心不能同时工作。
对于目前手机发展而言，底层系统到上层系统OS的优化才是重中之重。
感谢您的阅读！
差别有多大呢？这里我提到三款处理器，就能感觉到两者的差异（麒麟710和麒麟980处理器的差异）。
麒麟710：12nm FinFET;4个A73大核（2.2GHz）+ 4个A53（1.7GHz）共八核设计;GPU为Mali-G51。
麒麟810：7nm FinFET;2个A76大核+6个A55共八核设计;GPU为Mali-G52。
麒麟980：7nm FinFET;2个A76大核（2.6GHz）+2个A76大核+ 4个A55共八核设计;GPU为Mali-G76。
我们先不慌看三者的差异，我们先说到底这个数字代表的是什么意思呢？这些数字实际上是蚀刻尺度，说的透彻一点就是，将一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。而这个数字越小，代表在相同大小的处理器中，我们可以使用的空间越大，其中的计算单元数越多。
我们一直强调一个问题，手机CPU的主频率，为什么处理器的主频不会做到10GHZ呢？因为，频率越高，你运行的时候，产生的热量就越大，而且你所耗的电量也就越大，而制程越先进，就能更好的降低功耗，降低CPU需要的电压，而且驱动它们的功率也随之减低。
我们在说到三颗处理器，相同的7nm工艺，麒麟980比麒麟810的功耗肯定大，因为麒麟980的主频率和大核心性能强，功耗大；而在麒麟810和麒麟710之间，虽然麒麟710的CPU性能不及麒麟810，可是12nm工艺，也影响它的功耗体现。
所以，12nm和7nm在不同的手机上，因为会折射它们的性能，7nm一定在CPU性能上更优秀，而12nm却只能略输一筹，可能在功耗上类似，却在性能上7nm更强，处理手机的应用更迅速。
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手机芯片的工艺制程越先进，芯片的性能将会越强，功耗反而越低。
芯片工艺制程的提升，意味着同样面积可容纳集体管的数量越多，计算性能越强；
芯片工艺制程越低，电流穿过时的损耗、发热量也就余地，功耗响应会降低很多。
了解晶体管的工作方式之后，您将会有一个更加清晰的认识。
集体管工作的结构示意图如下：
电流从Source(源极)通过Gate(栅极)最终流入 Drain(漏级)，这里的Gate有点类似我们的闸门，负责电流从源极至漏级。电流的经过存在损耗，并且会带来一定的发热量。那么，栅极规格的大小和工艺将直接决定了晶体管的大小。栅极的宽度也就是我们常说的工艺制程，工艺制程越小，晶体管的体积也就越小，电流通过栅极的损耗以及发热量也就越小。
7nm与12nm差异的理论基础大家已经清楚，那么，实际的芯片上究竟会存在多大的差异呢？
这里以华为麒麟980、麒麟960两款芯片为例，分别使用7nm和12nm的工艺制程。
到此，以上就是小编对于电脑手机外壳测评的问题就介绍到这了，希望介绍关于电脑手机外壳测评的1点解答对大家有用。
